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    國產芯片欲彎道超車:曝長江存儲跳過192層閃存 直接切入232層

    來源:和訊網 作者: 更新時間:2022/6/15 9:32:31

    摘要:2019年,長江存儲晶棧 Xtacking架構的第二代3D TLC閃存量產,2020年,第三代TLC/QLC研發成功,推進到128層3D堆疊。

      2016年成立的長江存儲,于2017年通過自主研發和國際合作的方式,設計制造了首款3D NAND閃存。2019年,長江存儲晶棧 Xtacking架構的第二代3D TLC閃存量產,2020年,第三代TLC/QLC研發成功,推進到128層3D堆疊。

      在閃存領域,通常將堆疊層數視作技術先進程度的指標。

      DT報道稱,業內人士給出消息稱,長江存儲計劃跳過192層,直接切入232層閃存生產。

      這是什么概念?

      根據此前韓國研究機構OERI的一份報告,其表示中韓閃存技術差距目前已經縮短至兩年,理由是三星和SK海力士明年初會量產超200層閃存,長江存儲則要到2024年,現在來看,它們低估了長江存儲的技術儲備。

      另外,此前傳出長江存儲有望打入蘋果供應鏈,為iPhone等產品供貨閃存的說法,倘若最終實現,那么無疑將有著打破產業格局的動能。

      責任編輯:張華

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    本文地址:http://www.sorostrading.com/news/2022615/n3895146619.html 網友評論: 閱讀次數:
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